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Zhu, X. D.; 楢本 洋; Xu, Y.; 鳴海 一雅; 宮下 喜好*
Physical Review B, 66(16), p.165426_1 - 165426_5, 2002/10
被引用回数：14 パーセンタイル：57.58(Materials Science, Multidisciplinary)フラーレンの蒸着と同時にイオン照射を行い、炭素同素体変換過程を含んだ蒸着とスパッターリングが競合するなかで誘起されるナノサイズのパターン形成について考察した論文である。通常炭素系非晶質に対するイオン照射では表面が平滑化するの通常の結論であるが、ここでは逆の結果が得られた。これは、フラーレンへのイオン照射による同素体変換によりどのような結合状態の炭素物質が核生成するかに依存することを示した。
五十嵐 慎一; 武藤 俊介*; 田辺 哲朗*; 相原 純; 北條 喜一
Surface & Coatings Technology, 158-159, p.421 - 425, 2002/09
低角度入射電子顕微鏡法を用いて、シリコンブリスタリングのその場観察を行った。重水素照射により形成されるブリスターの大きさ,密度は、電子線照射領域内では領域外より明らかに小さいことがわかった。これは高エネルギー電子線による電子励起により、シリコン不飽和結合の重水素による終端化が抑制されたためである。また、フラックスが高いと、ブリスターが形成されるより前に、フレーキングが起きることも明らかにした。さらに、重水素照射では、注入重水素の最大飛程よりさらに浅いところで、重水素終端された欠陥が形成され、そこで劈開が起こり、ブリスターとなることを明らかにした。
西堂 雅博; 曽根 和穂; 山田 礼司; 大塚 英男; 村上 義夫
JAERI-M 7182, 16 Pages, 1977/07
電解研磨した表面および粗した表面を持つ多結晶モリブデンに、100KeVのヘリウムおよび200KeVのH
イオンを常温で衝撃した。1.0
10
particles/cm
のヘリウムを衝撃すると、電解研磨したモリブデン表面では、ブリスターを生じ、ブリスターの表面は剥離し、亀裂を生じる。一方、#1200、#400および#100のエメリー紙で粗したモリブデン表面では、ブリスター生成は減少するか、抑止されることが判明した。ブリスター生成におよぼす表面粗さの効果について、入射粒子の入射方向の飛程と関連づけてし議論した。
